TN3000系列SiPM

光电系统的性能担当

基于标准CMOS工艺,集诸多优异性能于一身,您可以放心将探测任务交给它





主要性能特点

Main Performance Characteristics

  • 高增益

  • 高灵敏度

  • 高探测效率

  • 快速响应能力

  • 低工作电压

  • 出色的温度稳定性

  • 极佳的磁场兼容性

  • 结构紧凑




高探测效率

采用先进的表面抗反射层,增强TN系列SiPM光子捕捉能力
峰值波长探测 效率达40%(TN3075@Vov=2V)





高透全包裹封装

基于全金属框架的光学DFN封装,赋予器件极佳的热稳定性、高透光性,湿度敏感等级达到MSL3





方形紧凑封装,易于大面阵扩展

TN3000系列SiPM采用紧凑的方形扁平无铅封装(QFN), 易于阵列化扩展,轻松面对大面阵深测需求


极佳的击穿电压温度稳定性

击穿电压温度系数34.4mV/℃,变化率低至1.3%/℃

SiPM

高探测效率

高探测效率

高透明封装

易于扩展

击穿电压稳定性

磁场兼容