几何参数
硅光电倍增器

感光面积:3mm×3mm

封装尺寸:4mm×4mm×0.68mm

像素间距:37μm

像素数量:5929

填充因子:60.2%

性能参数
参数 数值 条件 单位
光谱响应范围 250-950 -- nm
峰值波长 420 -- nm
击穿电压 25±0.2 @25℃ V
过电压 1-5 -- V
峰值波长探测效率 32% Vov=2V@420nm --
内部增益 2.1×106 Vov=2V@ --
上升时间 1.2 Vov=2V ns
恢复时间常数 29 Vov=2V ns
暗计数率 典型:88    最大:200 Vov=2V kHz/mm2
暗电流 典型:463    最大:980 Vov=2V nA
击穿电压温度稳定性 34.4 -- mV/℃
串扰概率 1.3% Vov=2V --
后脉冲概率 2.1% Vov=2V --
像素电容 98 Vov=2V fF
产品封装规格图

单位:mm



  • TN系列SiPM
产品数据手册