6月19日，锐光科技发布全新的TP系列SiPM，TP系列SiPM基于CMOS工艺制造，采用了全新的基于TSV技术的晶圆级封装，有效减小器件尺寸和死区面积，同时带来了均一性和可靠性的巨大提升。
相较于TN系列SiPM，TP系列在相同的9mm2感光芯片面积下，实现9.3636mm2的封装面积，较TN系列减少了41.5%，感光区域以外的死区几乎完全消除，结构更加紧凑，使得TP系列非常适合用于大面阵探测，采用TP系列的面阵相比TN系列面阵，阵列整体探测效率可提高30%以上，极大提升大面阵下的光子信号捕捉能力。
结构上的优化和封装精度的提高为TP系列SiPM带来了更好的均一性。传统封装采用打线方式实现芯片电极和引线框架的连接，打线长度不一以及引线框架尺寸波动，使信号路径的波动达到毫米水平，而晶圆级封装通过硅通孔（TSV）实现上下垂直连接，并采用高精度光刻布线，信号路径长度波动缩小至微米级，更小的路径波动能够有效减少信号传输抖动，从而使TP系列达到更好的均一性。
此外TP系列SiPM新产品采用高强度专用玻璃作为盖板材料，相比硅脂塑封具有更高的可靠性、更好的温度稳定性和更长的寿命。
锐光科技TP系列SiPM采用的基于TSV技术的晶圆级封装，又称芯片尺寸封装（WL-CSP，wafer level chip scale package），是一种直接在晶圆层面完成封装制程的先进封装方式。基于TSV的晶圆级封装，是采用硅穿孔+光刻布线方式实现芯片I\O互连，从而实现封装尺寸=芯片尺寸，极大提升器件的封装紧凑性和可靠性，使器件兼具轻、薄、小、可靠、高效、精确等特点，是SiPM封装的重点发展方向。
目前TP系列SiPM以下型号已开始接受订购，具体参数如下表，欢迎咨询。
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参数 |
值 |
条件 |
单位 |
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JSP-TP3050-SMT |
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光谱响应范围 |
250-950 |
-- |
nm |
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峰值响应波长 |
420 |
-- |
nm |
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峰值波长探测效率 |
35% |
Vov=2V |
-- |
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内部增益 |
2.5×106 |
Vov=2V |
-- |
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上升时间 |
1 |
Vov=2V |
ns |
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暗计数率 |
典型 |
120 |
Vov=2V |
kHz/mm2 |
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最大 |
270 |
Vov=2V |
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击穿电压温度稳定性 |
34.4 |
-- |
mV/℃ |
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串扰概率 |
3.1% |
Vov=2V |
-- |
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后脉冲 |
3.9% |
Vov=2V |
-- |
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